存储卡基础知识

　　SD卡是1999年由松下（Panasonic）、东芝（Toshiba）、闪迪（SanDisk）3家公司共同开发
　　的小型储存媒体。2000年，这几家公司发起成立了SD协会（SecureDigitalAssociation简
　　称SDA），阵容强大，吸引了大量厂商参加。其中包括IBM，Microsoft，Motorola，NEC、
　　Samsung等。
　　microSD卡，原称TransFlash卡，即TF卡，2004年由SanDisk和Motorola共同推出；后
　　被SD协会采立，重新命名为microSD卡。
　　1：SD1。1：采用FAT12、FAT16文件系统，最大支持2Gbyte，卡面外观无统一速度
　　（读写）标示。
　　2：SD2。0：采用FAT32文件系统，容量高达432Gbyte，卡面外观有统一的SDHC和速
　　度（Class210）标示。
　　3：SD3。0：SD3。0规格主要表现在高传输速度，SD3。0的UHSI总线速度可以到达
　　104MBS（SDR104），而SD2。0的规格，总线速度最高只能到25MBS。
　　4：SD4。0：SD4。0新增UHSII总线标准，传输速率最高可达312MBS。而UHSII的卡片
　　在物理接口上会有PIN脚增加（以SD卡为例介绍，TF卡结构与其一致）。
　　5：我们经常发现卡片的实际容量不对等标称容量（卡片上丝印的容量），因为卡片存在固件，缓存区域，备份块区域等原因，再加上计算机是以二进制位单位1024KB1MB，而我们人为算法1000
　　KB1MB，所以容量存在差异（一般实际容量约等于标称容量的9092才符合标准）。
　　Q1：什么是SDUHSI、SDUHSII？
　　UHS代表超高速，指的是在SDHC和SDXC存储卡上实现更高总线接口速度的新技术。
　　UHSI定义了高达104MBs的接口速度。支持UHSI的SDHC或SDXC卡的性能最高可达104MBs。
　　UHSII是UHSI的一个继承者，UHSII将理论总线速度骤然提高到了312MBs，是UHSI的三倍之多。
　　Q2：什么是U1U3速度等级？
　　一些新的UHS存储卡可能有一个U1标记，它指的是为UHSI卡设计的U1速度等级。
　　U1速度等级指定用于记录流视频内容的每秒10M字节的最小捕获（写入）性能。请注意，虽然U1与SpeedClass10的速度相同，但它们的测试方式不同，满足其中一个速度等级并不意味着满足另外一个。
　　U3级别意味着存储卡要至少达到30MBs的性能，来充分满足4K分辨率视频的录制和播放。
　　Q3：什么是V30V60V90速度等级？
　　针对视频写入需求订出的规格，VideoSpeedClass和UHSSpeedClass规格一样有等级规范，以保证每个等级的最小写入效能表现，规格的等级包含V6、V10、V30、V60和V90，其中V6代表SD卡写入速度为每秒6MB，V10则是每秒写入10MB、V30就是每秒写入30MB，以此类推。
　　其中V60和V90支援8K超高清，而V6、V10和V30则支持4K画质，而SD卡制造商会在记忆卡上压上此规格的等级规范标志（如V60、V90）。
　　Q4：什么是A1A2速度等级？
　　针对手机APP应用需求订出的规格，ApplicationPerformanceClass也有速度分级规范。
　　A1规范要求记忆卡随机读取性能必须达到读取1500IOPS、写入500IOPS，连续读写速度要求则是比较宽松的10MBs。
　　A2对于IOPS的要求是A1数倍。其随机读取速度必须达到4000IOPS，写入速度则是要求达到2000IOPS，也就是说A2写入速度还高于A1的读取速度。至于连续读写速度要求则是同为10MBs。
　　以上数据均符合SD协会标准，希望通过简单的描述让大家更深入的了解内存各卡种速度。
　　闪存产品的组成：
　　闪存产品的组成，大体上说闪存产品是由硬件和软件组成，这里说的软件指的是FIREWARE（固件）。
　　硬件部分主要也是两部分组成，它们分别是控制器（controller）闪存（FLASH）基板。
　　名词解释：
　　WEFER晶片，圆片，是半导体组件晶粒或芯片的基材，从拉伸长出的高纯度硅元素晶柱（CrystalIngot）上，所切下之圆形薄片称为晶圆。
　　DIEDIE就是ic未封装前的晶粒，是从硅晶片（wafer）上用激光切割下，将半导体晶圆（wafer）分割而成的小片（Die）。每一个DIE就是一个独立的功能尚未封装的芯片，它可由一个或多个电路组成，但最终将被作为一个单位而封装起来成为我们常见的内存颗粒，CPU等常见芯片。
　　常见的主控及FLASH品牌
　　主控：smi（慧荣）、AS（点序）、chipsbank（芯邦）、skymedia（擎钛）、alcor（安国）、phison（群联）、Marvell（马维尔）、ali，DM（江波龙）。
　　FLASH：SAMSUNG（三星）、MICRON（美光）、INTEL（英特尔）、Hynix（海力士）、TOSHIBA（东芝）、ST（意法半导体）、Sandisk（闪迪）等。
　　为什么一直以来在芯片上被国外卡脖子，芯片在集成电路素有现代工业粮食之称，芯片在生产过程中极为严格，工艺结构复杂，芯片的生产工艺发展从66纳米，45纳米，28纳米，10纳米，再到现在的7纳米，最为关键的设备光刻机，没有它想在芯片上有所突破很难的，最为代表的企业荷兰ASML公司，而西方国家对中国进行设备出口是有所限制的，签订了《瓦森纳协定》。目前国内代表的晶圆厂家是长江存储（YMTC），也是国家控股大型企业，希望未来在芯片上有更大的突破，打破被国外封锁。
　　Flash有关制程
　　Flash：主要分三种：
　　1。MLC：性能相对比较稳定，价格适中，寿命一般，擦写次数在1K3K，2bitCell，速
　　度较快而对性能，品质要求比较高，速度快，如133X，200X，400X以上都用MLC
　　一部分SSD，EMMC也用MLC，擦写次数30005000次应用在要求高的产品上。
　　2。TLC：是这三种中性能比较偏下的，价格最便宜，寿命短，擦写次数300500
　　次，3bitcell，速度较慢，U盘产品几乎都用TLC，因为成本低，一般应用在消费类产品上。
　　3。SLC：是这三种性能最稳定，价格最贵的，擦写次数10W次，1bitCell，速度
　　非常快，且寿命长对温度，品质要求特别高的产品，成本高，一般应用在工业产品上。
　　随着市场产品不断更新，存储数据量的增加，Sandisk在过去推出3DQLC概念，随着技术不断的突破，在2019年底闪迪和镁光等晶圆厂相继推向市场。3DNANDQLC问世后，性能，可靠性下降是QLC闪存必然的缺点，PE擦写寿命也不能与3DNANDTLC相比，随着技术不断的成熟，在容量上增加到1TB，擦写寿命和可靠性，读写速度完全不输现在的TLC。未来3DNANDQLC是大势所趋，广泛应用在SSD，内存卡上。
　　评论
　　05：00
　　为什么战旗美如画？红星视频31评论4小时前
　　江西：书写新时代红色大地精彩华章