根据南韩媒体《ETnews》的报导,紧追的美商记忆体厂美光科技(Micron)之后,南韩记忆体厂SKhynix也在7日正式发表176层堆叠的512GbTLC4DNANDFlash快闪记忆体,也代表着176层堆叠NANDFlash快闪记忆体时代来临。 skhynix1280x720。jpg(227。85KB,下载次数:1) 下载附件保存到相册 4天前上传