集微网消息,在半导体行业,氧化镓(Ga2O3)作为继SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)之后的下一代功率半导体材料而备受瞩目。日前韩国举办了氧化镓功率半导体技术路线图研讨会,会上公布了氧化镓专利申请情况。 据韩媒TheElec报道,根据AnAPatent对韩国、中国、美国、欧洲、日本等6个主要PCT国家地区所持有的氧化镓功率半导体元件有效专利分析,截至2021年9月共有1011件专利,其中中国拥有328件,日本拥有专利313件,两国专利数量占总数的50以上。2021年9月至2022年11月新增的460件专利中,大部分来自中国(240件)和日本(87件)。 AnAPatent专利代理人洪承勋(音译)表示,仅过了1年零2个月,氧化镓功率半导体元件相关专利数就增加了50左右,世界各国的专利确保动向非常活跃。虽然不能仅凭专利就讨论实际技术能力,但值得关注的是,中国和日本申请了大量专利。