PNYXLR8DDR432008Gx2RGB记忆体雾面导光R

　　在容量的选择方面，PNY总共推出了单条8G、16G或是双通道的8Gx2、16Gx2的KIT组，用户可以选择自己所适合的容量，这回我们所要介绍的是XLR8DDR43200MHz8Gx2的KIT套装。
　　PNYXLR8拥有多种容量与单条、双通道KIT组搭配，提供玩家多方面的选择。
　　产品规格一览：
　　产品型号：PNYXLR8DDR43200MHz2x8GBCL161。35V
　　产品名称：MD16GK2D4320016XRGB
　　模组规格：288PinDDR4UnbufferedDIMM
　　容量：8GBx2
　　速度：3200MHz、CL16181836
　　电压：1。35V
　　保固：终身保固
　　PNYXLR8开箱：厚实散热片带来优质外观与散热表现
　　外包装一览，PNYXLR8在外包装正面有着该记忆体本体的渲染图，右上角标示产品容量、时脉、CL值等参数，中间有着产品的渲染图片，右下角标示所支援的RGB灯效技术，包含ASUSAuraSync、GIGABYTERGBFusion、MSIMysticLightSync、ASRockPolychromeSync，背面则是产品相关序号与细节参数。
　　外包装一览。
　　记忆体本体一览，散热片上具备着红色与白色相间的XLR8的文字与红色箭头的标誌与斜条状的条纹，上方RGB灯条除了也是採用向下的V字样外观以外，并且上方也一样有着XLR8的字样。
　　记忆体本体，两侧散热片以胶合的方式黏贴安装。
　　散热片特写。
　　导光条採用外部光滑但内部雾面均光的设计，能够呈现相当优质又不会太过刺眼的RGB灯光效果。
　　导光条特写。
　　产品展示一览。
　　我们将散热片以吹风机加热并小心地拆下。可以看到在颗粒方面採用单面颗粒的设计。布局方面每颗1024M共八颗，组成单条8G的容量。
　　散热片以导热胶固定。具有颗粒的一侧使用较薄的导热胶、另一侧没有颗粒的一面则使用较厚的泡棉胶与散热片相黏。导光灯条则是额外安装于上方，并透过上方凹槽固定，RGB灯珠方面则是设有正反各5颗共10颗。
　　拆卸后的各部件一字排开。
　　导光条特写。
　　模组本体正反面一览。
　　颗粒一览，採用PNY的1GX8S50F6L，根据软体判读的结果（详见后方），该颗粒为SKHynix的Cdie（CJR），算是评价相当不错的颗粒品种之一。
　　上方另有一枚ENE6K5830UA0微控制器（MCU），提供RGB灯效同步控制能力，实现前述提到的RGB灯光效果。
　　RGB灯珠採用正反各5颗共10颗的设计。
　　PNYXLR8效能测试：轻鬆挑战DDR44533
　　这次我们採用AMD方才推出的B550平台进行性能测试。CPU方面採用R73800X，主机板则是採用ASUSROGSTRIXB550EGAMING进行测试。我们将比对在各记忆体时脉下对整体系统平台的影响。
　　另外由于Zen2架构设计上的原因，当记忆体超频超过DDR436003733时，则会改为2：1的mClk：uClk的模式，并且使得InfinityFabricClock固定在1800MHz。因此可以看到官方的数据上，在时脉超过36003733的临界点时，实际上的延迟表现反而较不佳。
　　Ryzen3代全新2：1Ratio除频模式延迟数据。
　　测试平台：
　　处理器：AMDRyzen73800X
　　CPU散热器：ASUSROGRYUO240AIO
　　主机板：ASUSROGSTRIXB550EGAMING
　　记忆体：PNYXLR8DDR43200MHz2x8GBCL161。35V
　　显示卡：AMDRadeonRX5700XT
　　系统碟：CorsairMP6001T
　　电源供应器：AntecHCP850PLATINUM
　　作业系统：Windows10Pro190364bit
　　AIDA64判读一览，显示製造商为SKhynix。
　　ThaiphoonBurner判读一览，判读的结果为hynixCDie的颗粒，就是CJR。
　　除了DDR43200X。M。P这一项目直接载入D。O。C。P进行测试以外，其余的测试均採用手动调整相关CL细节与电压，具体电压（VDDQ）如下。
　　DDR42666：AUTO
　　DDR43200（XMP）：1。35V（XMP、D。O。C。P设定）
　　DDR43600：1。35V
　　DDR44533：1。45V
　　AIDA64快取和记忆体效能测试，读取、写入、copy的测试结果如上。
　　AIDA64快取和记忆体效能，延迟的测试结果如上。
　　PCMark10Extend不同记忆体时脉的效能测试如上。
　　表格整理。
　　以笔者这次採用定位与售价皆为主流级的ASUSROGSTRIXB550EGAMING这张主机板，在仅单纯调整相关时序、电压（设置至1。45V）、APE的部分也是开启的状态下，即可成功以DDR44533CL22的参数进入系统并完成测试。
　　当然如果玩家们选择对记忆体超频性更加优化的主机板（例如ASUSC8I等），或是再更进一步的细心调整相关参数，要获得更高的时脉与更低的时序表现当然应该也是没有问题。
　　此外基于本次所使用的AMDZen2平台的相关架构设计，除非用户的CPU可以稳定运行于FCLK超过1800MHz的状态，否则超过36003733的过高频率对系统的效能提升而言并没有帮助，不过在DDR43600CL16的这个参数下自然也是绝对能够轻鬆攀得，笔者这次也仅单纯在载入D。O。C。P后将频率直接更改为3600MHz即可正常开机与稳定运作。
　　PNYXLR8灯效实际展示：轻鬆与主机板连动控制
　　除了效能方面，PNYXLR8受惠于搭载在玩家中口碑不错的SKHynixCJR颗粒并有着优质的效能以外，正如同前述所言PNYXLR8在RGB灯效与导光条的设计上也是相当具有特色，本体导光条採用内部雾面外部亮面的视觉设计，使得整体有着相当不错的RGB灯效，以下将实际展示这对PNYXLR8的灯光效果。
　　藉由华硕ArmouryCrate中AuraSync的页籤即可对记忆体的RGB灯效进行控制与同步。
　　实际安装。
　　RGB发光展示效果一览。
　　灯光效果可以与主机板全面同步。
　　PNYXLR8心得结论：效能优异、灯效华丽不刺眼
　　这回由美国大厂PNY所带来的XLR8RGB记忆体，根据测试的结果来看，在效能上的确有着不错的表现，简单就能够达到DDR44500的性能相信可以满足绝大多数玩家对记忆体效能的要求，此外华丽但不刺眼的RGB灯效也能够带给玩家优质的视觉效果。
　　XLR8在产品线上具备单条8G、16G以及双通道的版本，玩家们可以针对自身的需求进行选择，兼顾各种用户的使用情境与需求，如果想要选择一条具有RGB且效能优质的记忆体，PNY这回所推出的XLR8相信会是一个相当不错的选择。
　　如果玩家们对于这次所推出的PNYXLR8有兴趣，欢迎向台湾区代理商建达国际洽询，目前在灿坤3C上也有贩售。
　　来源：PNYXLR8DDR432008Gx2RGB记忆体雾面导光RGB灯效、CJR颗粒搭载的优质效能